请联系客服QQ
艾特贸易网首页

艾特贸易网

功率场效应晶体管(MOSFET)的结构和工作原理

提示:

功率场效应晶体管(P -MOSFET,以下简称MOSFET-Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)与BJT不同,它是一种单极(性)型的电压控制器件。图3-12(a)是N沟道MOSFET的结构示意图,图3-12(b)所示为其电气图形符号,图中G为栅极,S为源极,D为漏极。 图3-12 N沟道MOSFET的结构和符号MOSFET的工作原理可用图3-13所示

    功率场效应晶体管(P - MOSFET,以下简称MOSFET-metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)BJT不同,它是一种单极(性)型的电压控制器件。图3-12(a)N沟道MOSFET的结构示意图,图3-12(b)所示为其电气图形符号,图中G为栅极,S为源极,D为漏极。

N沟道MOSFET的结构和符号

    3-12    N沟道MOSFET的结构和符号

    MOSFET的工作原理可用图3-13所示的模拟结构来说明:如图(a)当栅极(G)电压为零(UGS=0)时,器件的漏极(D)与源极(S)之间的PN结为反偏状态,故MOSFET处于截止态。如图(b)G加上正向电压(UGS>0),且UDS亦为正向电压,则栅极下面将形成耗尽区,并出现多余负电荷,P基片的表面由P反型成为N型,这个反型层称为N沟道。此时电子从源极向漏极移动形成漏极电流IDMOSFET处于导通态。根据沟道的不同,MOSFET可分为N沟遭和P沟道两种。如图(c),若在GS间加上反向电压(UGS<0)DS间恢复阻断状态。

MOSFET的模拟结构图

    3-13    MOSFET的模拟结构图

(作者稿费要求:需要高清无水印文章的读者3元每篇,请联系客服,谢谢!在线客服:艾特贸易网客服为您服务


(责任编辑: 艾特贸易网 )

  • 本文关键字:晶体管 

免责声明:本文章仅代表作者个人观点,与艾特贸易网无关。本站大部分技术资料均为原创文章,文章仅作为读者参考使用,请自行核实相关内容,如若转载请注明来源:艾特贸易网 http://www.aitmy.com