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双极晶体管(BJT)的主要参数

提示:

(1)最大漏极电流IDmax 最大漏极电流IDmax表示该元件连续电流的额定值,它与元件内部结构和栅极所加电压大小有关,使用时栅极电压必须超过阈值电压。由于MOSFET是作为高频开关器件使用,其开关损耗比BJT低得多,故选择时裕量可以留小一些。如10 W电子镇流器,选用BJT用2~4 A,改用MOSFET选0.5 A就足够了。(2)击穿电压UDS 击

    (1)最大漏极电流IDmax

    最大漏极电流IDmax表示该元件连续电流的额定值,它与元件内部结构和栅极所加电压大小有关,使用时栅极电压必须超过阈值电压。由于MOSFET是作为高频开关器件使用,其开关损耗比BJT低得多,故选择时裕量可以留小一些。如10 W电子镇流器,选用BJT24 A,改用MOSFET0.5 A就足够了。

    (2)击穿电压UDS

    击穿电压UDS主要取决于器件的结构设计,早期该电压限制为600 V,目前击穿电压已提高到1000 V

    (3)导通电阻Ron

    导通电阻决定了元件的通态损耗,由器件结构设计而定,它具有正向的温度系数,即负荷电流增大时,附加发热使Ron增大,对电流的增加有抑制作用。这种自限流能力,在器件的并联应用时有自动均衡电流的效果。

    (4)阈值电压UGS

    阈值电压是沟道区表面由P型反型成为N型所需的最低栅极电压。实际使用时,所加栅极电压应为阈值电压的1.52.5倍,以利于沟道充分反型,获得较小的沟道压降。大部分厂家生产的MOSFET的阈值电压值为26 V,故栅极驱动电压都设计为15 V

    (5)开关频率

    MOSFET的开关速度和工作频率比BJT要高12个数量级,它的开关时间和频率响应主要取决于栅极输入端电容的充放电时间。MOSFET的开关时间为几纳秒至几十纳秒,而BJT的开关时间为550μs,故推算起来,MOSFET的开关频率可达500 kHz以上。


(责任编辑: 艾特贸易网 )

  • 本文关键字:晶体管 

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