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双极晶体管(BJT)的使用注意事项

提示:

MOSFET器件应采取抗静电包封装,置于导电材料制成的容器内。取用器件时,应拿壳体而不是导线部位。 当栅源极间阻抗过高时,UDS的突变会耦合到栅极,产生相当大的过压尖锋,将使栅极氧化层损坏。解决的办法是适当降低栅极驱动电路的阻抗,并要特别防止栅极开路工作。 当器件接有感性负载(例如,电磁线圈或电动机)时,在关

    MOSFET器件应采取抗静电包封装,置于导电材料制成的容器内。取用器件时,应拿壳体而不是导线部位。

    当栅源极间阻抗过高时,UDS的突变会耦合到栅极,产生相当大的过压尖锋,将使栅极氧化层损坏。解决的办法是适当降低栅极驱动电路的阻抗,并要特别防止栅极开路工作。

    当器件接有感性负载(例如,电磁线圈或电动机)时,在关断时会引起漏极电流的突变而烧坏管子。因此,过电流保护方面必须完善。


(责任编辑: 艾特贸易网 )

  • 本文关键字:晶体管 

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