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绝缘栅双极晶体管(IGBT)的主要参数

提示:

(1)集电极发射极额定电压UCESUCES是当栅极一发射极短路时测出IGBT承受的耐压。UCES应小于或等于器件的雪崩击穿电压。(2)栅极发射极额定电压UGESUGES是栅极控制信号的电压额定值。目前,IGBT的UGES值多为+20 V,故实际的栅极控制电压值应小于此值。(3)额定集电极电流ICIC是指IGBT在导通时允许管子流过的持续最大电流。(4)集

    (1)集电极发射极额定电压UCES

    UCES是当栅极一发射极短路时测出IGBT承受的耐压。UCES应小于或等于器件的雪崩击穿电压。

    (2)栅极发射极额定电压UGES

    UGES是栅极控制信号的电压额定值。目前,IGBTUGES值多为+20 V,故实际的栅极控制电压值应小于此值。

    (3)额定集电极电流IC

    IC是指IGBT在导通时允许管子流过的持续最大电流。

    (4)集电极-发射极电压降UCE(set)

    UCE是指IGBT在正常饱和导通时,集电极-发射极间的管压降,该值越小,则管子的功耗越小,一般为2.53.5 V

    (5)开关频率

    IGBT使用手册中,开关频率用导通时间ton、下降时间tf和关断时间toff等数据来估计。它与环境温度、集电极电流、栅极电阻、驱动模块的延迟特性有关。一般IGBT的开关频率小于100 kHz,它比BJT快得多,可达3040 kHz。开关频率高是IGBT的一个重要优点。


(责任编辑: 艾特贸易网 )

  • 本文关键字:晶体管 

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