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IEGT的有关特性

提示:

(1) IEGT的通态特性。采用适当的MOS栅结构,在促进电子注入效应增大时,从沟道注入N层的电子电流也相应增加。如果采用槽型结构,则沟道的迁移率增大。该槽栅越深,促进电子注入的效果就越显著。 对于一般IGBT,电子电流占总电流的比率小于0.75。而平板式IEGT,由于有促进电子的注入效应,可使这一比率超过0.75。对于沟槽式I

    (1) IEGT的通态特性。采用适当的MOS栅结构,在促进电子注入效应增大时,从沟道注入N层的电子电流也相应增加。如果采用槽型结构,则沟道的迁移率增大。该槽栅越深,促进电子注入的效果就越显著。

    对于一般IGBT,电子电流占总电流的比率小于0.75。而平板式IEGT,由于有促进电子的注入效应,可使这一比率超过0.75。对于沟槽式IEGT,其电流比率为0.8以上,性能有较大改进。其结果使IEGT的通态电压呈现较低的值,可与普通晶闸管相当。IEGT具有同高速开通晶闸管同样微细的MOS栅结构,又有IGBT同样的开通能力,作为脉冲功率用器件引人注目。

    (2)IEGT的开关特性。IGBT有一弱点,当提高耐压时,关断时的拖尾电流增加,加剧了关断损耗与通态压降之间的相互制约。为了减少关断时的拖尾电流,必须通过局部的质子辐照进行少子寿命控制,从而减少N层载流子的积蓄。对于不能在阴极增加载流子积蓄的ICBT,如果要减少拖尾电流,就会使通态压降显著增加。然而IEGT能较方便地通过增加阴极侧的载流子积蓄,从而可在不增加通态电压的条件下,控制阴极侧的载流子,减少拖尾电流。

    MOS栅控制IEGT的门极功率可比GTO减少2个数量级。当处理的功率为GTO相同时,吸收电路的功率损耗可为GTO1/10以下。因此可以说,IEGT是一种开关损耗较低的电力电子器件。

    (3)产品和特性。产品结构分为平极型和模块型两类。平极型有直径Φ85mm和Φ125mm两种规格。无论是平板型和模块,均有内藏反并联二极管适用于电压型逆变器。平极型适用于高压直流输电场合可方便将多个元件串联连接。IEGT的特性和应用范围如表1-14所示。

    1-14    IEBT的特性和应用范围

IEBT的特性和应用范围

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