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IEGT的关键技术

提示:

制作IEGT与制造DRAM存储器相类似,使用很精细的亚微米器件工艺。传统的功率器件制造工艺中,为了实现高耐压,需要在60~ 100μm的深度进行精细的Ga或Al的扩散,相应地开发了高压结终端技术。而对形成仅几个微米薄薄的P层,为了能承受4 kV以上高耐压,研制出了一种专门的结构。 此外,为了产生促进电子注入的效应,采用精细

    制作IEGT与制造DRAM存储器相类似,使用很精细的亚微米器件工艺。传统的功率器件制造工艺中,为了实现高耐压,需要在60~ 100μm的深度进行精细的GaAl的扩散,相应地开发了高压结终端技术。而对形成仅几个微米薄薄的P层,为了能承受4 kV以上高耐压,研制出了一种专门的结构。

    此外,为了产生促进电子注入的效应,采用精细的埋入式槽栅。利用质子辐照技术,实现了较为理想的载流子分布,从而协调了开通电压和关断损耗。受成品率的制约,采用微细工艺的IEGT很难形成大面积的芯片,因此采用多个芯片的并联封装实现大电流化。

    GTO一样,将许多小原胞并联于同一管壳中,为此采用了(无合金)全压接的技术。目前,已制成4.5 kV/1 kA的平板型IEGT。为了增大电流容量,也有在同一管壳内装入续流二极管的。


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