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IEGT的浪涌电路省略技术

提示:

众所周知,GTO元件对du/dt十分敏感,每一个GTO元件都需设置专用的浪涌电路,其浪涌电容值为4~ 6μF。为了提高系统的效率还需考虑浪涌能量的再生等问题,因此就使得主回路的元器数增加,进而使得调速装置的体积增大,且可靠性降低。但IEGT的du/dt容许值和IGBT相同,故不需设置专门的浪涌电路。但是,由于实际的电路中总是存

    众所周知,GTO元件对du/dt十分敏感,每一个GTO元件都需设置专用的浪涌电路,其浪涌电容值为4~ 6μF。为了提高系统的效率还需考虑浪涌能量的再生等问题,因此就使得主回路的元器数增加,进而使得调速装置的体积增大,且可靠性降低。但IEGTdu/dt容许值和IGBT相同,故不需设置专门的浪涌电路。但是,由于实际的电路中总是存在L,当电流关断时,Ldi/dt会产生一定的尖峰电压必须引起注意。解决的办法一是开发出独特的电路配线方式使尖峰电压最小;二是在直流母线上设置DC钳位电路在IEGT的电流关断时能充分吸收由于主回路漏电抗而引起的直流母线电位变化。这样,和GTO相比,浪涌部分的损耗非常小,装置的效率很高。虽然没有采用专门的浪涌保护电路,但电流关断时的尖峰电压约为3.6kV,对于耐压为4.5kV的元件尚有不少裕量。


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