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IEGT栅控电路的改进

提示:

IEGT的栅极驱动特性,基本上和IGBT相同是属于MOS型的电压控制,完全可以采用成熟的IGBT相控电路进行控制。即加上+15V时导通,加上- 15V时关断。但对于高压大容量的装置来说,小型固化的低压驱动电路很易受主回路的影响。为解决此问题现已开发新型的专门用于IEGT的栅极驱动电路。 该电路的特点是利用IEGT关断之际的低输入阻

    IEGT的栅极驱动特性,基本上和IGBT相同是属于MOS型的电压控制,完全可以采用成熟的IGBT相控电路进行控制。即加上+15V时导通,加上- 15V时关断。但对于高压大容量的装置来说,小型固化的低压驱动电路很易受主回路的影响。为解决此问题现已开发新型的专门用于IEGT的栅极驱动电路。

    该电路的特点是利用IEGT关断之际的低输入阻抗,使IEGT的栅极上叠加负偏压,更有利于关断。其优点是使IEGTdu/dt过高时,防止误触发。IEGT的驱动电路的体积比GTO触发器大大缩减。


(责任编辑: 艾特贸易网 )

  • 本文关键字:IEGT 

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